作者: 發布時間: 2016-11-21 17:32:55 次瀏覽
相比目前固態感應加熱設備使用的硅MOSFET，碳化硅功率器件具有寬禁帶、高擊穿電場、高熱導率等優點，且門極驅動功率小，在高溫、高頻和大功率場合應用有明顯優勢；碳化硅功率器件在電力電子產品中的應用已成為當今的研究熱點，其優良的特性使固態感應加熱電源的工作頻率得到大幅度提升。研發頻率高于1MHz的固態超高頻碳化硅感應加熱設備，使固態感應加熱電源的工作頻率范圍大幅度提高，可滿足半導體區熔加熱、精密金屬器件熱處理等高端領域的應用，且能耗更小，效率更高，基本實現零污染排放。
采用碳化硅MOSFET器件實現超高頻碳化硅MOSFET逆變功率單元，每個單元功率為50KW，多個功率單元可并聯組成大功率設備；固態碳化硅超高頻設備工作頻率在1MHz以上，大功率輸出，可滿足精密熱處理行業使用要求；固態碳化硅超高頻設備采用智能數字化逆變控制技術，使用先進的DSP+FPGA處理器架構，滿足對超高頻設備的控制要求。
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